サーモ理工-非接触で急速昇温 スポット加熱
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GVL298sys
超高真空中やガスフロー中等、各種雰囲気中に設置された試料のみに、ピンポイントで赤外線を照射し、非接触で試料を急速加熱ができます。

真空システムや分析装置に、簡単に取り付け出来ます。
サーモ理工の主力機種です。
高速昇温 : 最高昇温速度 150℃/sec、1500℃まで約1min
クリーン加熱 : 熱源からのガス発生や電磁誘導の心配無し
局所加熱 : 試料のみに赤外線を照射、周りを加熱しない
取付自在 : 各種システムに取付可能
Si、SiC等試料の高速昇温、アニール
酸化雰囲気中での酸化物結晶生成、薄膜作成
水素中、窒素中の基板の加熱
X線や紫外線照射中試料の昇温
昇温脱離ガス分析装置、XPS、XRD、PLD等分析装置内サンプルの加熱
磁場中加熱、無磁場中加熱
加圧雰囲気中加熱
試料に荷重をかけての加熱
   赤外線導入加熱装置は、用途により下記仕様があります。
 超高真空型  10-9Paの超高真空に対応します。
 高速昇温型  最高昇温速度 150℃/secの高速昇温ができます。
 大気中加熱型  大気中に設置した試料に、スポット加熱ができます。
 加圧雰囲気型  10気圧以下の加圧チャンバー内試料を加熱できます。
 特 殊 仕 様  GVシリーズの特長を生かし、急速降温、荷重加熱、磁場中加熱など様々なご要望にお応えできます。
 お気軽にお問い合わせください。
 CEマーク適合  CEマーク適合仕様も製作しております。

原理図

 超高真空型 GVH
モデル名 GVH198 GVH298
 赤外線ランプ定格 1kW 2kW
 最高到達温度 1200℃ 1400℃
 加 熱 面 積 φ20mm
 最大昇温速度 1℃/sec
 最大到達真空度 5×10-9Pa
 冷 却 水 量 1L/min 2L/min
 高速昇温型 GV / GVL
モデル名 GV154 GV198 GVL298 GVL398
 赤外線ランプ定格 500W 1kW 2kW 3kW
 最高到達温度 1100℃ 1300℃ 1500℃ 1600℃
 加 熱 面 積 φ14mm φ20mm
 最大昇温速度 100℃/sec 100〜150℃/sec
 最大到達真空度 5×10-7Pa
 冷 却 水 量 1L/min 2L/min
 加圧雰囲気型 GVP
モデル名 GVP198 GVP298
 赤外線ランプ定格 1kW 2kW
 最高到達温度 1200℃ 1300℃
 加 熱 面 積  φ20mm
 最大昇温速度  100℃/sec
 最 大 耐 圧  1MPa以下
 冷 却 水 量 1L/min 2L/min
ラピッドアニール赤外線導入加熱システム GV1 / GV2
下面照射型 赤外線熱処理装置 RTA198 / RTA298
昇温脱離ガス分析装置 GV2H
磁場中試料加熱用赤外線導入加熱システム GVL298M / GV154M / GV-M1
X線トポグラフ用赤外線導入加熱装置
XPS装置取付例
赤外線導入本体部、マルチポート真空チャンバー、温度制御器等で構成され、高真空中試料の超高速昇温ができます。
ポートが多いので、多様な実験に使用できます。
クリーン加熱が可能で、試料の出入は、真空チャンバー前面扉の開閉により行えます。
[ 用途 ]
・真空・ガス雰囲気中試料の連続昇温・降温制御
・試料表面加熱、裏面冷却の急速昇降温試験 (オプション)
・加圧雰囲気中の加熱(オプション)
モデル名 GV1 GV2
 赤外線ランプ定格 1kW 2kW
 最高到達温度 1300℃ 1500℃
 加 熱 面 積 〜φ20mm
 最大昇温速度 100〜150℃/sec
 最大到達真空度 5×10-5Pa
 冷 却 水 量 1L/min 2L/min
GV2
赤外線導入加熱装置、小型真空チャンバー、測温試料部、定値温度制御器等で構成されます。
真空チャンバー内の試料に下面より赤外線を照射し、試料のクリーン加熱、ラピッドアニールができます。
チャンバー上部にある観察窓から昇温中の試料の観察・撮影ができます。
モデル名 RTA198 RTA298
 赤外線ランプ定格 1kW 2kW
 最高到達温度 900〜1000℃ 1000〜1300℃
 加 熱 面 積 〜φ20mm
 最大到達真空度 5×10-3Pa 5×10-5Pa 
 冷 却 水 量 1L/min 2L/min
 
RTA298
超高真空型赤外線導入加熱装置、超高真空チャンバー、質量分析器、電源・保安回路ユニット、真空排気装置から構成されており、高温度に到達した試料から発生する微量ガスの質量分析ができます。
赤外線導入加熱装置は、熱源が真空チャンバー外にあり、ガスの発生がなく、クリーン加熱でき、高精度の分析ができます。
モデル名 GV2H
 赤外線ランプ定格 2kW
 最高到達温度 1500℃
 加 熱 面 積 φ15mm
 最大到達真空度 5×10-6Pa 
 納 入 先 京都大学
GV2H
 
 
磁場中試料の熱処理にも最適です。
[ 特長 ]
・ 光で加熱するため、試料に電磁誘導の影響を与えないクリーン加熱
・ 試料のみをピンポイントで加熱でき、磁石を加熱しない
磁場中での真空・ガス雰囲気中の昇温も可能です。
各種電磁石や、超電導磁石への取付ができます。
加熱試料は、雰囲気制御石英炉心管ごと磁石ボア内部へ挿入します。
試料温度1000℃でボア内壁温度は、40℃以下です。
 GVL298M
 
 
高真空中X線照射中試料を超高温まで昇温します。
(赤外線は、左上斜方向と右下斜方向から、]線は左、水平向から照射します。)
真空チャンバーは、XYステージ、スイベルステージ、回転ステージに設置されどの角度からでも、試料の昇温、保持、降温状態で結晶構造分析が可能です。
モデル名 GVL298-2S
 赤外線ランプ定格 2kW×2
 最高到達温度 1500℃
 加 熱 面 積 φ20mm
 最大到達真空度 5×10-4Pa 
 納入先:Spring-8
 GVL298-2S
 
 
赤外線導入加熱装置は、各種分析装置と組み合わせて多数使用されております。
 
XPSへGVL298型を取付した例です。
試料は、赤外線照射により昇温され、試料に含まれる水分やガスを除去し清浄化します。
試料はトランスファーロッドにより、超高真空中を写真右側のXPS分析室まで移動した後、X線が照射され、表面分析が行われます。